このように空間上を回転できることはわかりましたが、平面上を半回転しても同一とみなすことは可能ですか？

3種類 C T- C=C ① ひっくり返す CX C=C TAUSED B 平面状の分子なので、 次のようにひっくり返したら重なりますね ひっくり返す HOI

このように空間上を回転できることはわかりましたが、平面上を半回転しても同一とみなすことは可能ですか？

3種類 C T- C=C ① ひっくり返す CX C=C TAUSED B 平面状の分子なので、 次のようにひっくり返したら重なりますね ひっくり返す HOI

このように空間上を回転できることはわかりましたが、平面上を半回転しても同一とみなすことは可能ですか？

3種類 C T- C=C ① ひっくり返す CX C=C TAUSED B 平面状の分子なので、 次のようにひっくり返したら重なりますね ひっくり返す HOI

調べてみましたが、硫酸バリウム(毒ではない(人によっては有害(?)))は、バリウムイオン(毒)からつくられる。と書いてあっただけで、この答えがわかりません。(調べ方が悪いのかも知れませんが) なので、分かりやすく教えて頂きたいです。

The barium ion is toxic to humans. However, barium sulfate is commonly used as an image enhancer for gastrointestinal x-rays. What does this imply about the position of the equilibrium shown below? BaSO。= Ba?* + SO,? 4

この解き方を教えていただきたいです。 何処から手をつければいいか分からない状態です。

How many moles of H,O, were used in this demonstration? The peroxide solution is 35% by volume, the density of H.O2 is 1.45g/mL. 2H.0。 溶液胎+H 溶質が35。 0 +ントにD 4。 C0149<0028 0015mcl t

【英語ですみません】stoichiometry CH4と2O2 のどちらが先になくなりますかって言う問題だと思うのですが、計算式の意味がよくわからないです。一つ目は、reality で、2つ目はimpossible って描いてあるので上のやつで計算するとおもうのですが、ど... 続きを読む

CHy 202 CO2 + 2 H20 Example: I hae 3mal CHy and 7 mol Dz which will nn out frst? CHy lininng ranctant 1 -runs put PRED IしTIDNS. 3 mo CH) ICO2 3mol CO,<realty run out of CHy all the CHhy wull be usedu I CHy ICO1) チ mol O21 Con) 202 xcess rlachint impossible! dont have enouyh CHn =35mol CO2 < 3 more thon enoush Somcull 6c let4 ove/anused

熱濃硫酸と銅の酸化還元反応の反応式の作り方について質問です。 参考書の説明で、画像の⭐︎をつけた部分（①のCu→Cu2+＋2e-の部分です）がどうしてそうなるかわかりません。初歩的な疑問かもしれませんが解答よろしくお願いします。

Ni ④ 加熱すると, 強い識芽級要著ぶし, H。よりもし」 オンヤル なども溶かします (金属と酸との反応について 。,"則mo わし<, Ni ⑳ : Cu + 2H。50。 (部濃硫酸) 一> Cuso, 」 JBN 、 400 1 CO所式の作りかたは理 SB ONSMRUSEDGNONESeSSLI) 「下生 ま 3 Cu 上 のDE)康3① の 負 hs0.一SO ラ H5S04相有晴語 Hの数をH* H。S04 十 2H+ SB ①, ③式より Cd 二 Hz504 - ④式の両辺にS0。定を Cu 二 2H50』

この答えを導き出す為の、ヒントを教えていただきたいです🙇🏻‍♀️ 答えは伏せていただけると有難いです🙏

8.19 g of an alkai metal (Group 1) was reacted with water to form the aqueous metal hydroxide along with 1.19 g of hydrogen 9aS. Which alkai metal was used? IM+ HOつ (MOH+ H。 (M=unknown metal) へ 1Qs [

RHEED法の原理と得られる7つの情報が、この英文に書かれているみたいなのですが、よく分かりません。 分かる方助けてください！🙇‍♂️

INTRODUCTION Reection high-energy electron diHiraction (RHEED) uses a Rnely collimated electron beam with energy of 10-100 keV. The beam irradiates a sample surface with gazing incidence to obtain forward scattered difraction patterms. RHEED enables us to analyze structures of crystal surfaces at atomic levels and also to in situ monitor growth processes of thin films (mo、1988: Ichimiya and Cohen、2004: Peng et al.. 2011). From the arrangement。intensity and profile of the dilraction spots in RHEED patterns as described below in detail、 one can obtain various kinds of information: (1) the periodicity (unit cells) in atomic arrangements. (2) flat- ness of surfaces. (3) sizes of grains/domains of surface structures and microcrystals grown on the surface. (3) epitaxial relation between the grown flms/islands with respect to the substrate. (5) parameters character- izing structural phase transitions. (6) individual atomic positions in the unit cells. and (7) growth styles of thin films and numbers of atomic layers grown. The most important advantages of the method are that it is quite easy to install the RHEED apparatus in Yarious types of vacuum chambers without interfering with other components of apparatuses and to do real- time monitoring during thin-Rlm growths. Because of these advantages.RHEED is nowwidelyusednotonlyin research Iabs of surfaces and thin fims. but also in device production processes in industry Low-energy electron diiraction (LEED、see article Low-ENNERcy ErecroN DirscmoN)。 in which an electron beam of 10-100 eV in energy is irradiated onto a sample surface with nearly normal incidence to obtain back- scattered difraction patterns. is also widely used to analyze the atomic structures of crystal surfaces. Since one has to make the sample face directly to the LEED

この英文分かる方教えてください。

Czochralski method (チョクラルスキー法) is af人st growth method and widely used for both semiconductors and oxide/fhuoride materials for opi applications. It also normally produces the most nearly perfect and homogei erystals. (略) Normally a crucible material is needed that i5 compatible wih melt (意味 : 浴融物), however, he most common crucible material used fo that is, sihica。 dissolves slowly in the melt and this raises certain process the growth of this material. Costs for Czochralski method are higher than other techniques, but it is used when the greatest perfection of grown required. (原文を一部変更しました.) P Capper. Bu Csia/ Grow7か: 4e/Dos ag/