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物理 高校生

22番の問題が分かりません…できれは詳しく説明してもらいたいです!!お願いします🙇‍♀️

3 加速度と等加速度直線運動 月 加速度 単位時間当たりの速度の変化。 加速度は、 速度と同じように大きさと向きをもつ。 T 運動。 初速度か [m/s], 加速度α [m/s]の等加速 6 等加速度直線運動 一直線上を一定の加速度で進む 加速度の単位 1秒間に速度が1m/s の割合で変化す る場合の加速度を基準にとり、 1m/s とする。 平均の加速度 時間 Jr[s] の間の速度の変化が [m/s] のとき、 平均の加速度(m/s7は 線運動で, t[s] 後の 速度を [m/s] 変 位を [m] とすると, 次の式が成りたつ。 初め [] 後 a 0 変位 速度が 速度の変化 時間 dv at v=vo+at at 【例10 等加速 30m/sの (1) 2.0秒後の物体 (2) 2.0秒後までに 解物体 [portat] *D 30+1.5× 面積 12/24 af 瞬間の加速度 平均の加速度の式で、 をきわめて 短くとると瞬間の加速度となる。 x=vot+ afa 1 Vo 面積 Bod v2-v²=2ax 時間 23. 等加速 体が、一定の □21. 平均の加速度 次の各場合について、 物体の平均の加速度はどの 向きに何m/s"か。 21. (1) 4.0 秒後の (1) (1) 一直線上を正の向きに 3.0m/sの速度で進む物体が, 4.0秒後に正の 向きに9.0m/sの速度になったとき。 (2) (2) 4.0秒後 (2) 一直線上を正の向きに8.0m/sの速度で進む物体が, 6.0 秒後に負の 向きに4.0m/sの速度になったとき。 24. た後、初 で通過し □22. 加速度 物体が静止の状態から動き始めて一直線上の運 動を続けた。 その0.10 秒後, 0.20 秒後, 0.30 秒後, ...... の到達 距離を測定して表にまとめた結果が下の表である。 22. (1) 表に記入 速さ [m/s] 3.0 時間(s) 0 0.10 0.20 0.30 0.40 0.50 0.60 0.70 距離 (m) 0 0.02 0.08 0.18 0.32 0.50 0.72 0.98 2.5 2.0 平均の速さ(m/s) (2)1.5 1.0 (1) 表の値から各 0.10 秒間の平均の速さを求め, 表の中に書き 入れよ。 0.5 0 (2) 物体の運動のv-t図をかけ。 (3) 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 時間 t [s] 25. 斜面 は正 た (3) 物体の加速度の大きさは何m/s2 か。 (2) (1)で求めた平均の速さを、その時間 の中央の時刻での速さと考える。例え ば, 0.10~0.20 秒での平均の速さは, 時刻 0.15 秒での速さとみなす。 し (1)

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物理 高校生

オが分かりません。普通にqwじゃないんでしょうか? 答え イ qvb オvb

II 空所を埋め、 問いに答えよ。 ウ (配点 45 ) 図1のような直方体のp型半導体があり, x,y,z 方向の辺の長さをそれぞれl, whとする。 図1に示すようにp型半導体の右側面をR 面, 左側面をL面とする。 このp型半導体のx軸に 垂直な面に電源を接続し, x軸の正の向きに大きさIの電流を流す。 z 軸の正の向きに磁束密度 の大きさBの一様な磁場(磁界) をかけたときの半導体内での電気伝導について考える。p型半 導体は,構成する原子間で結合する電子が不足してできた正孔 (ホール) と呼ばれる正電荷とみ なせる荷電粒子 (電気量q)が電流の担い手 (キャリア) となり, 電流が流れると考えることが できる。このp型半導体の単位体積あたりの正孔の個数をnとする。 h L面 と エは選択肢{ }の中から適切なものを選べ。 w B 図 1 R面 電源 まず, 磁場がかかっていない状態 (B=0T) では, p型半導体内で正孔は電源による電場 (電界)を受け, 平均の速さで動き, 電流が流れる。 この電流I の大きさは ア である。 この状態で磁場をかけた。 磁場がかかった状態でも正孔は平均の速さで動くとすると,正孔は, 磁場によって大きさ イ のローレンツ力をウ {L, R}面に向かう向きに受ける。 その ため ウ面はエ{正, 負}に帯電した状態になり, L-R面間に電場が生じる。 L-R面間 の電場の大きさは,正孔にはたらくローレンツ力と電場による力がつり合った状態で決まり、こ れら2つの力がつり合うと, その後, 正孔は直進すると考えられる。 このつり合いの関係から L-R面間に生じる電場の大きさは オ と求まり, L-R面間に生じる電位差 VH は カ と表すことができる。 VH は I を用いると キ と表される。この関係を用いると, 半導体中におけるnを調べることができる。

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