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化学 高校生

高校生 化学 化学結合と結晶 半径 化学の問題です。 下の写真の赤い部分がわかりません。回答を見る上での右にある図すらわかりません。どこで切ったのでしょうか 2、3枚目の写真は教科書で、とりあえずここらへんを見ていますが、何を使うかもわからないのでもしいらないページでし... 続きを読む

64. イオン結晶■ 図のように, ナトリウム Na の塩化物は塩化ナトリウム型, セシウム Cs の塩化物は塩化セシウム型の結晶構造をとる。 次の各問いに答えよ。 (1) 塩化ナトリウムの結晶における, Na+, CIの配位数をそれぞれ記せ。 (2) NaClの単位格子に含まれる Na+, CI- の数をそれぞれ求めよ。 10.564nm 塩化ナトリウム Na+ CI CI CI 0.412nm (3) Na+, Cs+ のイオン半径をそれぞれ求めよ。 ただし, CI-のイオン半径は 0.167nm, √3=1.73 とする。 (4) フッ化ナトリウム NaF とフッ化セシウム CsFの融点は, それぞれ993℃, 684℃で ある。 CSFの融点が NaF の融点よりも低くなる理由を60字程度で記せ。 ただし, NaF, CsFはともに塩化ナトリウム型の結晶構造をとる。 (10 東北大 改) 解説を見る 0.412 塩化セシウム (3) ナトリウムイオン Na+ のイオン 半径を x[nm〕 とすると, 塩化ナトリ ウム NaClの単位格子の一辺の長さ 0.564nm および塩化物イオン CI-の イオン半径 0.167nmから, xは図の ように表される。 したがって,次式が 成り立つ。 (0.167nm+x [nm])×2=0.564nm x = 0.115nm セシウムイオン Cs+ の半径をy[nm] とすると, 塩化セシウム CSCI の単位 格子の対角線の長さ/3×0.412nm および塩化物イオン CIのイオン半 径0.167 nm から, y は図のように表 される。したがって, 次式が成り立つ。 (0.167nm+y[nm]) x2=√3×0.412nm y=0.189nm (4) 同じ結晶構造をもつイオン結晶では, 陽イオンと陰イオンの間に 働く静電気力 (クーロン力)が大きいほど, 融点は高くなる。 静電気力は, 両イオン間の電荷の積の絶対値が大きいほど,また,両イオン間の距離 (陽イオン半径と陰イオン半径の和)が小さいほど, 強く働く。 フッ化セシウム CSFとフッ化ナトリウム NaF の結晶では, 電荷の積の ,0.167 * -Cs+ Na K 0.167 し √3x0.412 x0.167. 0.564 Cs+ y √2×0.412 単位はnm y CI Xx 0.167 CI¯ 単位はnm ① 対角線の長さは,単 位格子の一辺の長さをα とすると,次のように求 められる。 a 1 √2a 三平方の定理から, 1²=a²+(√2a)² 1= √3a ② 静電気力Fの大きさは 次式のようになる。 19₁x92 F=kx

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化学 高校生

RHEED法の原理と得られる7つの情報が、この英文に書かれているみたいなのですが、よく分かりません。 分かる方助けてください!🙇‍♂️

INTRODUCTION Reection high-energy electron diHiraction (RHEED) uses a Rnely collimated electron beam with energy of 10-100 keV. The beam irradiates a sample surface with gazing incidence to obtain forward scattered difraction patterms. RHEED enables us to analyze structures of crystal surfaces at atomic levels and also to in situ monitor growth processes of thin films (mo、1988: Ichimiya and Cohen、2004: Peng et al.. 2011). From the arrangement。intensity and profile of the dilraction spots in RHEED patterns as described below in detail、 one can obtain various kinds of information: (1) the periodicity (unit cells) in atomic arrangements. (2) flat- ness of surfaces. (3) sizes of grains/domains of surface structures and microcrystals grown on the surface. (3) epitaxial relation between the grown flms/islands with respect to the substrate. (5) parameters character- izing structural phase transitions. (6) individual atomic positions in the unit cells. and (7) growth styles of thin films and numbers of atomic layers grown. The most important advantages of the method are that it is quite easy to install the RHEED apparatus in Yarious types of vacuum chambers without interfering with other components of apparatuses and to do real- time monitoring during thin-Rlm growths. Because of these advantages.RHEED is nowwidelyusednotonlyin research Iabs of surfaces and thin fims. but also in device production processes in industry Low-energy electron diiraction (LEED、see article Low-ENNERcy ErecroN DirscmoN)。 in which an electron beam of 10-100 eV in energy is irradiated onto a sample surface with nearly normal incidence to obtain back- scattered difraction patterns. is also widely used to analyze the atomic structures of crystal surfaces. Since one has to make the sample face directly to the LEED

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