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至急解答をお願いいたします。どうかよろしくお願いいたします。

鉄筋に沿った方向に生じる。 (4) 凍害によるひび割れは、コンクリート内部の水の凍結膨張による水圧の発生によって生じ,壁では亀甲状に生じやすい。 6/8 5 【問関28) コンクリートの耐久性に関する次の一般的な記述のうち、不適当なものはどれか (1) アルカリシリカ反応は、骨材中の反応性鉱物と細孔溶液中の水酸化アルカリとの化学反応であるので、コンクリート中のアル カリ総量が少なくなるほど,劣化が生じにくい。 (2) 硫酸塩は、コンクリート中のカルシウムシリケート水和物(C-S-Hゲル)と反応して硫酸を生成し、組織を多孔化し劣化させる。 (3) 中性化の進行に伴い,コンクリート中のフリーデル氏塩が分解し、遊離した塩化物イオンはコンクリート内部へ移動して濃縮 する。 (4) AEコンクリートの耐凍害性は、その気泡間隔係数が200~250um程度以下であれば良好であるといわれる。 【問題 29) コンクリートの耐久性に関する次の一般的な記述のうち、不適当なものはどれか (1) 凍害を受けるおそれのある構造物では、日が当たらない部分より日が当たる部分の方が、劣化は生じにくい。 (2) アルカリシリカ反応による劣化は,コンクリートが気乾状態にあるより湿潤状態にある方が、進行が速くなる。 (3) コンクリートの中性化は、コンクリートが気乾状態にあるより湿潤状態にある方が、進行が遅くなる。 (4) 下水に含まれる硫酸塩は、微生物の作用によって硫酸となり,下水処理場のコンクリートに著しい劣化を生じさせる. 【問題30) コンクリートの中性化深さx(mm)と材輪(年)の関係が次の実験式で近似以できるものとする。この式を説明した次の記述のう ち、適当なものはどれか、ただし、記述された以外のコンクリートの配(調合および環境条件は同じとする。 x=A「t (1) コンクリート試験体を,相対湿度50%の環境と相対湿度90%の環境に置いた場合,係数Aは、相対湿度90%の環境に置いた試 験体の方が小さくなる。 (2) コンクリート試験体を,気温10℃の環境と気温30℃の環境に置いた場合,係数Aは、気温10℃の環境に置いた試験体の方が大 きくなる。 (3) コンクリート試験体を一定の環境に置いたところ、材齢10年のときコンクリートの中性化深さが5mmと求められた。このコ ンクリート試験体の中性化深さが10mmとなるのは材齢25年に達したときと推定される。 (4) 水セメント比60%および45%の2種類のコンクリート試験体を一定の環境に置いた場合,係数Aは水セメント比45%のコンクリ ートの方が大きくなる。 【問題31) 海水の作用を受けるコンクリートに関する次の一般的な記述のうち、適当なものはどれか (1) コンクリート構造物中の鋼材橋食に対する対策として、コンクリートの外部に陰極(カソード)を設置し、鋼材を賜極(アノード) とする電気防食工法が有効である。 (2) 硬化後に外部からコンクリート中に侵入する塩分は、アルカリの供給源となるため、アルカリシリカ反応を助長させることが ある。 (3) やむを得ず打継目を設ける場合,鉄筋の腐食が懸念されることから,打継目は海水中を避け,最高潮位近傍に設けるのがよ い。 (4) 海水に接するコンクリートでは、セメント硬化体中の水酸化カルシウムと海水中の硫酸マグネシウムが反応し、生成される膨 張性の物質が組織を充填し徹密になる。 【問題 32) コンクリート構造物の含水状態と耐耐久性との関係に関する次の一般的な記述のうち、不適当なものはどれか (1) 中性化は、コンクリートが湿潤状態にある場合の方が気乾状態にある場合よりも進行しにくい。 (2) アルカリシリカ反応は、コンクリートが湿潤状態にある場合の方が気乾状態にある場合よりも進行しにくい。 (3) 凍害は,コンクリートが漫潤状態にある場合の方が気乾状態にある場合よりも進行しやすい。 (4) 疲労による劣化は,コンクリートが飽水状態にある場合の方が気乾状態にある場合よりも進行しやすい。 6 【問題 33) コンクリートの耐久性に関する次の一般的な記述のうち、不適当なものはどれか (1) 高炉セメントB種を使用すると,普通ポルトランドセメントを使用した場合よりも中性化速度は小さくなる。 (2) アルカリシリカ反応の抑制には、フライアッシュを質量比15%以上含むフライアッシュセメントの使用が有効である。 (3) アルカリシリカ反応のペシマム量とは,膨張が最も大きくなるときの,骨材中に含まれている反応性骨材の割合のことをいう。 (4) 気泡間隔係数が小さいと、コンクー1のに記上 土z

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このCR並列回路の問題を教えてください!

S 第1問【過渡現象· CR· スイッチ開】図1の回路のスイッ チS は時刻t=0 に開かれた(それまでは十分長い時間 閉じていた)。この回路について以下の各問いに答えよ。 但し、コンデンサ C の電圧 vと抵抗 R の電流iは図の 矢印の向きを正とせよ。 (1)抵抗 R に関する vとiの関係の式を書け。 VIN R 図1 (2) t>0 のとき、コンデンサc に関する v とiの関係 の式を書け(この問題を問違える人が多いので注意)。

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電子回路についてです。この問題の解き方が分かりません!教えてください。

完了 電子回路_12_トランジスタ増幅回路の等価回路(2) _a9f98115cc3d72b646757b Q IB-60μAHDベース·工ミッタ間ハイアス電圧/BEOI 及びコレクタ·エミッタ間のバイアス 電圧VcEoが次の値の時,ベースのバイ 5/8 - Ic [mA) 50μA CEQ アス電流Igoとコレクタのバイアス電 流Icoの概略値を静特性より読み取り なさい。 40μA 10 Vee=5V 30μA VBEO = 0.69V VCEO =5.0V う 5 20μA = 5.0V の時も 但し,入力特性生は VeE 左図の第3象限のグラフと同じとする。 又,Iao及び1co の単位は,夫々 μA及 びmAとし,何れも整数値で答える事。 10μA 0μA CQ 80 60 40 20 0 2 4 6|8 10 - I(uA) VcE (V) → F0.2 の前問ので求めた動作点でのh定数 he,he, hoe の概略値をそれぞれ求めなさい. 夫々の単位は、kΩ, 有効数字2桁(※)で記載する事。 F0.4 r0.5V 1.0V -0.6 VCE 単位無し、uSとし、 -0.8- VeE (V)

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電子回路についてです。課題1のところがわかりません。教えてください。

15:49 完了 電子回路|_11_トランジスタ増幅回… 第6章 トランジスタ増幅回路の等価回路 6.3 h定数の接地変換(2/5) 【例題6.1】 コレクタ接地のh定数を、エミッタ接地のh定数から求める変換式 【解】(エミッタ接地) E接地の入出力電流·電圧(,, Ve。)は, E接地 のh定数(hhhh)を用いて次式を満足する。 V= h, +h。v。…O …2 oC B Ve 一方、C接地の入出力電圧(VV。)と出力電流()は E接地の入出力電圧(VV)と出力電流()との間に 次式が成立する。 E OE (コレクタ接地) V= V -V。…3 V。=-V。 …の 3のをのに代入. V-V。= h, +h。(-v.) のSをのに代入. v i。 BO V。= hi, + (1-h。)V.… Vae Ve。 C Ve。 =-(1+h。);+hov… V= h.i, + h。V。 =hei, + hV。 h。= (1-h。) h。=-(1+h。),h = ho。 h,=h。 6のと、 を比較して、 第6章 トランジスタ増幅回路の等価回路 6.3 h定数の接地変換(3/5) ベース接地のh定数を、エミッタ接地のh定数から求める変換式. (エミッタ接地) V = h, + h。v。…O ;= h,+h。。…の 【課題1】 前頁の【例題6.1】を参考に、 下記の変換式(6.7)を導け。 oC h。 BO V。 Ve h= EO E (ベース接地) …3 …の h,ha t ho(1-h,) Ve = V』 -V。 h。= V。 V =ーV。 『ce Eo oC ら=--。 h h。= V|| Vhe Veb BO oB V。= h+hV。 = h+hV。

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初歩的なことですが、マーカー部分でaの式がどのように表されているのか分かりません。教えてください。

練習問題 8 TT dF=pbtr?w de b .こ d0~ t O 、く れ 図 8.6 解答 図に示すように, を直方体とみなせるので体積dV は, リングに円周角 d0 の微小部分を考える. このとき, この部分 1 (a dV =tx|r+-t) d0 xb=trbd0 (: t<r) である. よって, この部分の質量 dm は, dm = pdV= ptrbd0 であるので, この部分に働く遠心力 dFは, ptrb d0 x dF= (dm)rw? = rw° = pbtr?w? de リしこく

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3番わかる方いたら教えてください

3)カスケードポンプやローラーポンプなどは、吐出側の流路が遮断されると圧が極度に上昇し危険であるため行ってはなら ない。このような回路があった場合、回路にある工夫を加えると圧が上昇しないが、そのエ夫とはどのようなものか。下の図に 書き込め。 P 蛍子などで 遮断されている 4)以下の図のように複式ポンプをセットした場合、 両側のポンプが等量のためチューブの液面の高さは変化しないはずだ 実際にはチューブの液面はわずかに下降する。その理由を考察せよ。 チューブ液面 OUT A N IN B 水 Tam A A低T-のるかく

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