学年

教科

質問の種類

工学 大学生・専門学校生・社会人

ベース接地構成のpnpシリコントランジスタのエミッタ-ベース接合は、次のようになる。 10Ωの抵抗と理想的なダイオードを直列に接続した約0.5Vのバッテリーとして表される(下図2.1-1、2.1-3)。 Re=1000Ωと10kΩおよびVEE=6VのVEBQを求めよ。 教え... 続きを読む

E 全属増子 形 コレクタ O D O ミッタ 0 C 102 Ta TO5T Re ペース 全属増子 る。 R。 コレクタ エミッタ ペース Mw R。 ww R。 p静合トランジスタ (a図報表示(回路記号とベース接地接続におけ 電圧の向き Ire oC T。 E 傾き = コレクタ。 VEEgペース同路 「o 0.7V言 -1 傾き= 『理想ダイ 「オード- R。 『n 1。 B 0 V ERQ 07V 図2.1-3 折線モデル,トランジスタ入力回路(alp-i特性(6断線モデル等価回路 D ww

回答待ち 回答数: 0
工学 大学生・専門学校生・社会人

材料力学の不静定問題になります。 間違いがあるそうですがわかりません。どこが間違ってますか?

右の図で、 先端を支持された等分布荷重wを受ける片持ちはりがある。 先端の支点反力 Ra とたわみ角を求めよ。 (4月21日 (木) の材料力学2の時 間に提出してください.) W A l 高専 [[解] 先端の支点をPとする。 機械工学科 2204.20 ます。この問題を(a)(b)に分解する Tea 西田 (a)の場合のたわみ YaはYa-l FI (1) で与えられる。 (⑥6)の場合のたわみYoはiP -HE Yo P=-RA 251112₂ Y₂ - Ral² BEI 問題のはりは、点Aで支持されており : Ya+1/6=0….(3) とならなければならない SEⅠ BEⅠ J & x xをたわみの基礎式に代2dy Mo ET (8) を積分し2 dy -3nl x² die 16 I + val3 (6)を適用してC=I 以上より Pa dr 〃 →x jul 16EI 3wl 8 ¥1x=0 6EI ・Painl... (+) 3ml RAF 8 左図のように(x-1)をとれば、父の曲げモーメントは、 3rd Mr. xx-xxx :: 3d wat in (s) 8 8 境界条件はんではりが固定されているので、 1 |x-10 =0 (7) w Wx² (8) 2EI xC + C 7²+ nes + -oulx SEI -X²³² + (₁ ~~(9) sy -3rd de 16 EI - GE8 -22²³² T L e 482 ////// B (たわみ) ne ya 48 ノコレまちが

回答待ち 回答数: 0
PromotionBanner
工学 大学生・専門学校生・社会人

機械工学の問題です。(4)の解答を教えていただきたいです。

次のような状態変化からなるサイクルがある. 等容変化 ポリトロープ変化 等圧変化 等温変化 の 8 の の 3- ④一 条件は, P=20.0×10°Pa, P;=1.2×10°Pa, t,=50℃, vp,=5, v/u,=1.3, 動作物質 はM=0.04kgの窒素であるとして, 次の問いに解答せよ. (1) 状態の~④のP, v, T を表に示せ. (2) ポリトロープ指数nはいくらか. (3) このサイクルのP-u, Tsの両線図を定性的に描け. (4) このサイクルの熱効率はいくらか. 003 と 一 治 を ぶ0 4G1001! 1

回答待ち 回答数: 0
工学 大学生・専門学校生・社会人

電子回路学の問題です。解答を教えていただきたいです。

図1の(a)は, FET を用いた CR 結合の二段の低周波増幅回路である。ソースに入っている レコンデンサーは, 交流的には短絡と考えて良いとすれば、この回路の等価回路は(b)のよ たる。使用した FETのEmを2ミリジーメンス,ドレイン抵抗 r。を1メグオームとする。 * EETの入力インピーダンスは十分大きいので、 図の抵抗 Rの値は(1 ) キロオームと て良い。この回路を,低成,中域,および高域周波数に分けて考えると,そのうち(2) レ( 3 ) 域では図中のコンテデンサーのインピーダンスは十分小さいので, 等価電流源の負 花としては,( 4 ) キロオームの抵抗のみと考えて良い。このことから、図のように,入力に 抵幅1ミリボルトの電圧 みが加わったとき,中央の の振幅は( 5 ) ポルトとなる。まった く同様に考えれば,一段の増幅器を経た出力電圧は(6 )ポルトとなるから、この回路の利 得は約( 7 ) デシベルである。 一方低域では, コンデンサーのインピーダンスが無視できなくなり,低域遮断周波数である トW- 10K 1u 10K 1μ = 義 の の Rミ| 02 (8)ヘルツでは、中域利得に対して,利得が( 9 )デシベル低下する。全体が二段増幅命 となっていることに注意すれば,それより十分低い周波数では,周波数が半分になると、や が(10 )デシベル低下する特性となっている。 (2図2は、 演算増幅器 (オペアンプ)を用 JS0 た反転増幅回路である、 この回路の利得は、 1K 100K る。アースに対する図中のa点 a Ww -Mw 100K WWw

回答待ち 回答数: 0
1/18