図1の(a)は, FET を用いた CR 結合の二段の低周波増幅回路である。ソースに入っている
レコンデンサーは, 交流的には短絡と考えて良いとすれば、この回路の等価回路は(b)のよ
たる。使用した FETのEmを2ミリジーメンス,ドレイン抵抗 r。を1メグオームとする。
* EETの入力インピーダンスは十分大きいので、 図の抵抗 Rの値は(1 ) キロオームと
て良い。この回路を,低成,中域,および高域周波数に分けて考えると,そのうち(2)
レ( 3 ) 域では図中のコンテデンサーのインピーダンスは十分小さいので, 等価電流源の負
花としては,( 4 ) キロオームの抵抗のみと考えて良い。このことから、図のように,入力に
抵幅1ミリボルトの電圧 みが加わったとき,中央の の振幅は( 5 ) ポルトとなる。まった
く同様に考えれば,一段の増幅器を経た出力電圧は(6 )ポルトとなるから、この回路の利
得は約( 7 ) デシベルである。
一方低域では, コンデンサーのインピーダンスが無視できなくなり,低域遮断周波数である
トW-
10K 1u
10K
1μ
= 義
の
の
Rミ| 02
(8)ヘルツでは、中域利得に対して,利得が( 9 )デシベル低下する。全体が二段増幅命
となっていることに注意すれば,それより十分低い周波数では,周波数が半分になると、や
が(10 )デシベル低下する特性となっている。
(2図2は、 演算増幅器 (オペアンプ)を用
JS0
た反転増幅回路である、 この回路の利得は、
1K
100K
る。アースに対する図中のa点
a
Ww
-Mw
100K
WWw