工学
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電子回路学の問題です。解答を教えていただきたいです。

図1の(a)は, FET を用いた CR 結合の二段の低周波増幅回路である。ソースに入っている レコンデンサーは, 交流的には短絡と考えて良いとすれば、この回路の等価回路は(b)のよ たる。使用した FETのEmを2ミリジーメンス,ドレイン抵抗 r。を1メグオームとする。 * EETの入力インピーダンスは十分大きいので、 図の抵抗 Rの値は(1 ) キロオームと て良い。この回路を,低成,中域,および高域周波数に分けて考えると,そのうち(2) レ( 3 ) 域では図中のコンテデンサーのインピーダンスは十分小さいので, 等価電流源の負 花としては,( 4 ) キロオームの抵抗のみと考えて良い。このことから、図のように,入力に 抵幅1ミリボルトの電圧 みが加わったとき,中央の の振幅は( 5 ) ポルトとなる。まった く同様に考えれば,一段の増幅器を経た出力電圧は(6 )ポルトとなるから、この回路の利 得は約( 7 ) デシベルである。 一方低域では, コンデンサーのインピーダンスが無視できなくなり,低域遮断周波数である トW- 10K 1u 10K 1μ = 義 の の Rミ| 02 (8)ヘルツでは、中域利得に対して,利得が( 9 )デシベル低下する。全体が二段増幅命 となっていることに注意すれば,それより十分低い周波数では,周波数が半分になると、や が(10 )デシベル低下する特性となっている。 (2図2は、 演算増幅器 (オペアンプ)を用 JS0 た反転増幅回路である、 この回路の利得は、 1K 100K る。アースに対する図中のa点 a Ww -Mw 100K WWw

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