3 目前記憶體技術可達到 的資料儲存密度最高為 10 byte/cmy 所二12六
(lbyte 三1位 8位元) ,但奈米科技極可能突破
【上限。例如右圖所示的設計,鑽石表面上的氨與氟原也
還 米碳管探針頭的原子 (如
) ,對氨與所原子分別具有吸引與排斥作用為,則
元。下列與此奈米科技有關的敘述,。
| GO到說|98.學測| 天
:大約為 1 奈米_(B)宗米碳管探針頭的原子直徑交火六 於區
奈 生計 使資料儲存密度提高到目前最高密度的數萬倍以上(0@)潤於表面
/元的兩種原子,其直徑愈炎愈有和於提高資料儲存泌峽
