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数学 大学生・専門学校生・社会人

統計学検定3級の問題です なんでこの公式?で相関係数が求められるのですか? sxy/sx*syの公式をどう変形したら3枚目の写真の形になるのでしょうか 教えてください!

問13 2つの変数x, y について次のデータが得られた I y 〔1〕xとyの相関係数はいくらか。次の①~⑤のうちから最も適切なものを一つ 選べ 19 1709 ① 0.85 ② 0.34 ③ 0.11 001122 361 Lpatos A [2]xおよびy の出現頻度に関して,次の I ~ⅢI の記述を考えた。 相関係数 I.xの値は0,1,2が同じ頻度で出現した。 Ⅱ.yの値は1,2,34,5,6の2倍の頻度で出現した。 ⅢI.xが1であったとき、yの値は1のみ出現した。 相、平 4 25- IとⅡIとⅢIはすべて正しい x分散・分散 この記述 I~Ⅲに関して、次の①~⑤のうちから最も適切なものを一つ選べ。 2001-10 Ⅰ のみ正しい人 ② ⅡIのみ正しい ③ ⅢIのみ正しい ④ ⅠとⅡIのみ正しい 分音 6 4 -0.24 問14 ある中学校で数学と理科の試験を行ったところ、 数学と理科の得点の相関係数 は 0.24 であった。 各生徒の得点をそれぞれ2倍したとき, 数学と理科の得点の相関 係数は0.24の何倍になるか。 次の①~⑤のうちから適切なものを一つ選べ。 BOLSO 21 ①1/√2 ② 2 ③ 1 -0.79 直一平均12 PRELA 2 46 4 問15 次の散布 ある。 なお 理科の得点(点) 100 90 80g 70 60 50 【名】統計検定3級・4級 【本書の感想】 本書をどこでお知りにな 後を考えている

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物理 大学生・専門学校生・社会人

Ⅲ-1(1)~(4) Ⅲ-2(1)~(3) を教えてください

III. 強さの定常電流が作る磁場は、次のビオサバールの法則で与えられる。 点Sのまわりのds 部分を流れる電流が点Pに作る磁場dH は、 I ds x r' 4 3 (1) で与えられる。ここで、 r'はSからPに向かうベクトルSP、 r' = r 。 下の左図参照。 dH = I S ds III-1. 強さの無限直線定常電流が軸上を、軸の正の向きに流れている場合を考える。 上の左図。 円筒座標系において、点Pの円筒座標を(p, 中, z) とし、 その点での規格化された 基底ベクトルを eps epiez とする。 円筒座標 (p,d,z) の点Pに作られる磁場H (p, 中, z) は、ed の向きであり、磁場のe。 成分, Ho は pのみに依存する、 すなわち H(p,d,z) = Hs (p)eΦ と表すことができることを以下の手順 (1)-(3) で示せ。 (2) (1) 軸上の点Pに作られる磁場を求める。 点Pの座標を(x,0,0) とする。 軸上の点S のまわりのds部分を流れる電流が点Pに作る磁場の向きをその理由とともに答えよ。 (2) 次に、点Pがzy平面上、軸からの距離がpの位置にあるとする。 このとき、円筒 座標を用いて点Pの座標が (p,p,0) であるとする。 軸上の点Sのまわりのds 部分 を流れる電流が点Pに作る磁場の向きをその理由とともに答えよ。 また、磁場の大き さがpのみに依存し、中に依存しないことを示せ。 (3) 最後に、 点Pが円筒座標 (p,d,z), ≠0の位置にあるとする。軸上の点Sのまわり のds 部分を流れる電流が点Pに作る磁場の向きをその理由とともに答えよ。 また、 磁場の大きさがpのみに依存し、 中zに依存しないことを示せ。 (4) 磁場をH, 電流密度をżとしたとき, マックスウェルの方程式の一つは, V x H = i (3) で与えられる。 マックスウェルの方程式 (3) を用い, さらにストークスの定理を適用 して、円筒座標 (p, 中, z), (p > 0) の点Pにおける磁場のe 成分, H を求めよ。 III-2. 次に、 上の右図のように、 無限に長い円筒に強さの定常電流が流れている場合を考 える。ここで、円筒の断面は半径aの円であるとする。 円筒の中心軸を軸とする。 円筒に は強さの定常電流が軸の正の向きに, 円筒内を一様に流れているとする. (1) III-1 の結果を利用して、 円筒座標 (p, Φ, z) の点Pに作られる磁場 H (p, 中, z) は、 ed の向きを向くことを示せ。 また、 磁場のed 成分, H は p のみに依存することを示せ。 即 ち、この場合も磁場は式 (2) のように表すことができる。 (2) 円筒領域p<α及び円筒外の領域p>αにおいて、電流密度の大きさ i = i を求め (3) マックスウェルの方程式 (3) を用い, さらにストークスの定理を適用して,次の領域 における磁場のe」 成分, H を求めよ。 (a) p<a, (b) p> a

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