線形代数学の問題です！教えて下さると嬉しいです😊

2 複素数の全体の集合Cは、 ベクトル空間である。 その基底となるベクトルの集合 を一つあげよ。 また、CはRベクトル空間として何次元か。

(3)の問題が分かりません。教えて下さるとありがたいです。

tを実数に値をとるパラメータとする. 4 次の実正方行列 A= -1 -1 -3 2 0 -1+2t -1 1 1 0 2 -1 -2+t -1-t -5 + t 3 によって定まる 4 の1次変換を f とする.I4 には標準内積が与えられているもの とする. 以下の問に答えよ. (1) すべてのに対しf(u) = 0 をみたすような, R4の長さ1の元をひとつ 与えよ. (2) Kerf の次元を とするとき, kを求めよ。 またk >2 のときは, {1.... uk} が Ker f の正規直交基底になるように 2 x を与えよ. (3) Kerfn Imf の次元が1であるようなtの値をすべて求めよ。 また,そのとき Kerfn Imfの0でない元を与えよ.

生物の問題です。間違えてる所をなおしてくれませんか、、😭

2 細胞間隙とは、細胞と細胞の間(隙間)で、細胞同士ま たは細胞が細胞外の物質に付着する場である。 ( ) 3 白血球の遊走、 血小板凝集やリンパ球の抗原認識の際に は、細胞接着分子が関係する。 ( ) 4 細胞接着分子は、いずれも膜貫通型タンパク質で、アン カー分子を介して細胞骨格タンパク質と結合しているものが 多い。( ) 5 インテグリンファミリーは、細胞外領域にCa²+結合部 位を含む繰返し配列をもち,同じ分子同士で結合する。 ( ) 6 セレクチンファミリーは、 a鎖とβ鎖から成るヘテロ二量 体であり、多様なα鎖およびβ鎖の組合わせにより結合する分 子が変化する。( ) 7 免疫グロブリンスーパーファミリーは、 ジスルフィド結 合により形成されるループ構造のドメインを分子内に一つ以 上含み、免疫における異物の認識などに関与する。 ) ( 8 カドヘリンファミリーは、 糖鎖に結合するレクチンドメ インを分子内にもち、 接着する相手の細胞膜糖タンパク質や 糖脂質に結合する。( ) 9 消化管や気道などの管腔は、相互に連結した線維芽細胞 に覆われ、細胞間には特徴的な接着装置が存在する。 ( 10 低分子物質やイオンは、 上皮細胞間の密着結合 (タイト ジャンクション) を経由して細胞間を移動する。( ) 11 半接着斑(ヘミデスモソーム) は、 上皮細胞間を連結す る接着装置であり、 インテグリンファミリーの細胞接着分子 が働いている。 ( ) 12 組織中において細胞と細胞の間隙を満たす物質の集合体 を細胞外マトリックスとよぶ。 ( ) 13 細胞外マトリックスを構成する部分には、エラスチンや フィブロネクチンなどの線維成分とプロテオグリカンやコラ ーゲンなどの非線維成分とがある。 ( ) 14 細胞外マトリックスは、 組織の支持、 衝撃の吸収、 弾性 の維持など物理的役割を来たすが､ 細胞増殖や分化には無関 係である。( ) 15 ラミニンは、2本のポリペプチド鎖か十字架のように会 合した構造を取り、 基底膜の主成分で、細胞の基底膜への結 合や移動に関与する。( )

ベクトル解析に関するもんだいです。3次元直交座標系の基底ベクトルを i, j, k とし，位置ベクトルをr=xi+yj+zkで表す. |r|の関数であるf(|r|)を用いてA(r)=f(|r|)rの形で与えられるベクトル関数であって，全空間において ∇・A＝1を満たすも... 続きを読む

III-1(4)を教えてください。

III. 強さの定常電流が作る磁場は、次のビオサバールの法則で与えられる。 点Sのまわりのds部分を流れる電流が点Pに作る磁場dHは、 I ds x r' 4T ¹3 (1) で与えられる。ここで、はSからPに向かうベクトルSP = r 。下の左図参照。 dH= I Sas P III-1. 強さの無限直線定常電流が軸上を、軸の正の向きに流れている場合を考える。 上の左図。 円筒座標系において、点Pの円筒座標を(p,d,z) とし、 その点での規格化された 基底ベクトルをeprepez とする。 円筒座標 (p,Φ, z) の点Pに作られる磁場H (p,p, z) は、 ed の向きであり、磁場のe, 成分, Ho は pのみに依存する、 すなわち H(p, o, z) Hs(p)e. と表すことができることを以下の手順 (1)-(3) で示せ。 = I (2) (1) 軸上の点Pに作られる磁場を求める。 点Pの座標を(x, 0, 0) とする。 軸上の点S のまわりのds部分を流れる電流が点Pに作る磁場の向きをその理由とともに答えよ。 V x H = i (2) 次に、点Pがzy平面上、軸からの距離がpの位置にあるとする。 このとき、円筒 座標を用いて点Pの座標が (p,p,0) であるとする。 軸上の点Sのまわりのds 部分 を流れる電流が点Pに作る磁場の向きをその理由とともに答えよ。 また、磁場の大き さがpのみに依存し、中に依存しないことを示せ。 2 (3) 最後に、 点Pが円筒座標 (p, 中, z), ≠0の位置にあるとする。 軸上の点Sのまわり のds 部分を流れる電流が点Pに作る磁場の向きをその理由とともに答えよ。 また、 磁場の大きさがpのみに依存し、 中,zに依存しないことを示せ。 (4) 磁場をH, 電流密度をżとしたとき, マックスウェルの方程式の一つは, (3) で与えられる。 マックスウェルの方程式 (3) を用い, さらにストークスの定理を適用 して、円筒座標 (p, 中, z), (p > 0) の点Pにおける磁場のe, 成分, H を求めよ。

Ⅲ-1(1)~(4) Ⅲ-2(1)~(3) を教えてください

III. 強さの定常電流が作る磁場は、次のビオサバールの法則で与えられる。 点Sのまわりのds 部分を流れる電流が点Pに作る磁場dH は、 I ds x r' 4 3 (1) で与えられる。ここで、 r'はSからPに向かうベクトルSP､ r' = r 。 下の左図参照。 dH = I S ds III-1. 強さの無限直線定常電流が軸上を、軸の正の向きに流れている場合を考える。 上の左図。 円筒座標系において、点Pの円筒座標を(p, 中, z) とし、 その点での規格化された 基底ベクトルを eps epiez とする。 円筒座標 (p,d,z) の点Pに作られる磁場H (p, 中, z) は、ed の向きであり、磁場のe。 成分, Ho は pのみに依存する、 すなわち H(p,d,z) = Hs (p)eΦ と表すことができることを以下の手順 (1)-(3) で示せ。 (2) (1) 軸上の点Pに作られる磁場を求める。 点Pの座標を(x,0,0) とする。 軸上の点S のまわりのds部分を流れる電流が点Pに作る磁場の向きをその理由とともに答えよ｡ (2) 次に、点Pがzy平面上、軸からの距離がpの位置にあるとする。 このとき、円筒 座標を用いて点Pの座標が (p,p,0) であるとする。 軸上の点Sのまわりのds 部分 を流れる電流が点Pに作る磁場の向きをその理由とともに答えよ。 また、磁場の大き さがpのみに依存し、中に依存しないことを示せ。 (3) 最後に、 点Pが円筒座標 (p,d,z), ≠0の位置にあるとする。軸上の点Sのまわり のds 部分を流れる電流が点Pに作る磁場の向きをその理由とともに答えよ。 また、 磁場の大きさがpのみに依存し、 中zに依存しないことを示せ。 (4) 磁場をH, 電流密度をżとしたとき, マックスウェルの方程式の一つは, V x H = i (3) で与えられる。 マックスウェルの方程式 (3) を用い, さらにストークスの定理を適用 して、円筒座標 (p, 中, z), (p > 0) の点Pにおける磁場のe 成分, H を求めよ。 III-2. 次に、 上の右図のように、 無限に長い円筒に強さの定常電流が流れている場合を考 える。ここで、円筒の断面は半径aの円であるとする。 円筒の中心軸を軸とする。 円筒に は強さの定常電流が軸の正の向きに, 円筒内を一様に流れているとする. (1) III-1 の結果を利用して、 円筒座標 (p, Φ, z) の点Pに作られる磁場 H (p, 中, z) は、 ed の向きを向くことを示せ。 また、 磁場のed 成分, H は p のみに依存することを示せ。 即 ち、この場合も磁場は式 (2) のように表すことができる。 (2) 円筒領域p<α及び円筒外の領域p>αにおいて、電流密度の大きさ i = i を求め (3) マックスウェルの方程式 (3) を用い, さらにストークスの定理を適用して,次の領域 における磁場のe」 成分, H を求めよ。 (a) p<a, (b) p> a

例題2と3についてです。線形変換であることを示すには、具体的にどのようなことを示す必要があるのか教えてください。

151 1. n次以下のK-係数多項式の空間 Pm (K) において, fEP (K) に対し, (Tof) (x) = f(x+b), bEK と置けば, To は P (K) の線型変換である.実際, 22 To (f+-g) (x) = (f+g) (x+b) = f(x+b)+g(x+b) = (Tof) (x) + (Tog) (x). To(cf) (x) = (cf) (x+b)=c•ƒ(x+b) = c(Toƒ) (x). 例 2. 漸化式 xn+k+ak-1Xn+k1+ ...+α1xn+1+αoxn = 0 (n=0,1,2,...) を充す実数列{Xn} 全体の空間 (p.97, §2 例 9 参照)で,一項だけ先へずらす写 像 T:{xn}→{Xn+1} は線型変換である. 例 3. 定数係数の斉次線型微分方程式 dk-1y + 'dxk-1 dky dxk + Ak-1 +ar dy dy の解空間において, 微分作用素 D:y→ は線型変換である. dx +aoy = 0 (ao = 0, a, R) dx さて,線型空間に基底を選んで, 線型写像を行列で表現することを考える. 線型空間 V の一つの基底E = <ex, ezi..., en> を選べば,Vから K™ への 同型写像 4 が決まるから、この意味で,基底 (E; 4) と言うことにする. T

なぜイオン化エネルギーが大きい方から（3）（2）（1）なのですか？教えて下さい！🙏

単原子分子・単原子イオン : (1) 水素化物イオン (H-), (2) ヘリウム原子(He)、 (3) リチウムイオン (Lit) は、いずれも基底状 態であれば 1s 軌道に電子を2個有する二電子系であるが、それぞれの1s軌道の広がりの大きさは異なっている。 (1) (2)、 (3) をそれぞれの1s 軌道の広がりが大き方から順に並べると、 の順番となる。 <大>(問30) > (問31) > (32) <小> (3) また、イオン化エネルギーの大きい方から順に並べると、 (2) i) APT Li <大> (33) > (問34) > (35) <小> の順番となる。 (2) ch (3)

基底状態の電子配置をかけという問題で Cr³⁺はなぜ 1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d³になるのですか？ よろしくお願いします。

【線形代数】 （2）を行列A=[a1, a2, b1]として階数を調べ、一次独立かを示したのですが、この解き方で大丈夫でしょうか？

[2](1) R° において,ベクトル V1= (1,0,1), 02 = (0, 1, 1) で張られる部分空間の正規直交基底 a1, a2 を求めよ。 (2) a1, a2, bi = (1,1,2) は1次独立か1次従属か,理由とともに答えよ。 (3) a1, a2, b2= (1,2,2) は1次独立か1次従属か,理由とともに答えよ。