至急‼️ 画像の問題の答えを教えて頂きたいです！ わかるものだけで構いません！

ある遷移モデルから構成される確率行列 P= (Pij)が以下で与えられているとする.ただ し, Pijは地点aからaj に 1単位時間あたりに移る 確率を表す。 初期の各地点での存在確率(確率ベク トル)が,(a1a2) = (0.3 0.7) であったと き,1単位時間が経過した後に,a2に存在している 確率を求めよ.ただし, 答えは小数で解答せよ。 P = 0.6 0.4 0.1 0.9

なぜこのような解答になるのでしょうか。 解説して頂きたいです。

て説 2) dCA dt より, CA= 【例題11.1】 化合物 ACとDに分解される式 (11.11) の液相反応 -TA = A→C+D は、次の2つの素過程からなる. 活性中間体Aに対して定常状態の近似を適用し、 反応速度式を導出せよ。 《解説》式 (11.11) の量論関係より-=c=rである. 式 (11.13) より -r₁ = rc (= rd) = k₂CA. である。 活性中間体Aに対して定常状態の近似を適用すると. A=k,CA2-K_CACA-k^C^=k,C^2-(kzC^ + k2) Car = 0 A+AT k₂ k,CA2 KCA + 13 である.したがって, 式 11.16) 式 (11.14) に代入すると. kkSCA KCA + k3 となる終 *A*+A AC+D 52 (11.11) (11.12) (11.13 ) と呼ばれる。 (11.14) THE (11.15) (11.16) (11.17)

さっぱり分からないので教えて欲しいです

問題3 図3の飛行機は、定常飛行のときのエンジンの推進力が、 それぞれ50kNである。 各エンジンは機体中心か ら2.5m離れている。 右側エンジンの推進力だけ定常飛行時より10kN増加したときのエンジンの合力Rと、 その作用する位置dおよび合モーメントMoを求めよ。 ただし、 2次元問題として取り扱うこと。 [答え : 胴体中心より右側エンジン側に0.227mの位置, 合力 R=25kN] 2.5m 2.5m 50kN O 図3 10kN 飛行の軌跡 # (c) 24 >210

III-1(4)を教えてください。

III. 強さの定常電流が作る磁場は、次のビオサバールの法則で与えられる。 点Sのまわりのds部分を流れる電流が点Pに作る磁場dHは、 I ds x r' 4T ¹3 (1) で与えられる。ここで、はSからPに向かうベクトルSP = r 。下の左図参照。 dH= I Sas P III-1. 強さの無限直線定常電流が軸上を、軸の正の向きに流れている場合を考える。 上の左図。 円筒座標系において、点Pの円筒座標を(p,d,z) とし、 その点での規格化された 基底ベクトルをeprepez とする。 円筒座標 (p,Φ, z) の点Pに作られる磁場H (p,p, z) は、 ed の向きであり、磁場のe, 成分, Ho は pのみに依存する、 すなわち H(p, o, z) Hs(p)e. と表すことができることを以下の手順 (1)-(3) で示せ。 = I (2) (1) 軸上の点Pに作られる磁場を求める。 点Pの座標を(x, 0, 0) とする。 軸上の点S のまわりのds部分を流れる電流が点Pに作る磁場の向きをその理由とともに答えよ。 V x H = i (2) 次に、点Pがzy平面上、軸からの距離がpの位置にあるとする。 このとき、円筒 座標を用いて点Pの座標が (p,p,0) であるとする。 軸上の点Sのまわりのds 部分 を流れる電流が点Pに作る磁場の向きをその理由とともに答えよ。 また、磁場の大き さがpのみに依存し、中に依存しないことを示せ。 2 (3) 最後に、 点Pが円筒座標 (p, 中, z), ≠0の位置にあるとする。 軸上の点Sのまわり のds 部分を流れる電流が点Pに作る磁場の向きをその理由とともに答えよ。 また、 磁場の大きさがpのみに依存し、 中,zに依存しないことを示せ。 (4) 磁場をH, 電流密度をżとしたとき, マックスウェルの方程式の一つは, (3) で与えられる。 マックスウェルの方程式 (3) を用い, さらにストークスの定理を適用 して、円筒座標 (p, 中, z), (p > 0) の点Pにおける磁場のe, 成分, H を求めよ。

Ⅲ-1(1)~(4) Ⅲ-2(1)~(3) を教えてください

III. 強さの定常電流が作る磁場は、次のビオサバールの法則で与えられる。 点Sのまわりのds 部分を流れる電流が点Pに作る磁場dH は、 I ds x r' 4 3 (1) で与えられる。ここで、 r'はSからPに向かうベクトルSP､ r' = r 。 下の左図参照。 dH = I S ds III-1. 強さの無限直線定常電流が軸上を、軸の正の向きに流れている場合を考える。 上の左図。 円筒座標系において、点Pの円筒座標を(p, 中, z) とし、 その点での規格化された 基底ベクトルを eps epiez とする。 円筒座標 (p,d,z) の点Pに作られる磁場H (p, 中, z) は、ed の向きであり、磁場のe。 成分, Ho は pのみに依存する、 すなわち H(p,d,z) = Hs (p)eΦ と表すことができることを以下の手順 (1)-(3) で示せ。 (2) (1) 軸上の点Pに作られる磁場を求める。 点Pの座標を(x,0,0) とする。 軸上の点S のまわりのds部分を流れる電流が点Pに作る磁場の向きをその理由とともに答えよ｡ (2) 次に、点Pがzy平面上、軸からの距離がpの位置にあるとする。 このとき、円筒 座標を用いて点Pの座標が (p,p,0) であるとする。 軸上の点Sのまわりのds 部分 を流れる電流が点Pに作る磁場の向きをその理由とともに答えよ。 また、磁場の大き さがpのみに依存し、中に依存しないことを示せ。 (3) 最後に、 点Pが円筒座標 (p,d,z), ≠0の位置にあるとする。軸上の点Sのまわり のds 部分を流れる電流が点Pに作る磁場の向きをその理由とともに答えよ。 また、 磁場の大きさがpのみに依存し、 中zに依存しないことを示せ。 (4) 磁場をH, 電流密度をżとしたとき, マックスウェルの方程式の一つは, V x H = i (3) で与えられる。 マックスウェルの方程式 (3) を用い, さらにストークスの定理を適用 して、円筒座標 (p, 中, z), (p > 0) の点Pにおける磁場のe 成分, H を求めよ。 III-2. 次に、 上の右図のように、 無限に長い円筒に強さの定常電流が流れている場合を考 える。ここで、円筒の断面は半径aの円であるとする。 円筒の中心軸を軸とする。 円筒に は強さの定常電流が軸の正の向きに, 円筒内を一様に流れているとする. (1) III-1 の結果を利用して、 円筒座標 (p, Φ, z) の点Pに作られる磁場 H (p, 中, z) は、 ed の向きを向くことを示せ。 また、 磁場のed 成分, H は p のみに依存することを示せ。 即 ち、この場合も磁場は式 (2) のように表すことができる。 (2) 円筒領域p<α及び円筒外の領域p>αにおいて、電流密度の大きさ i = i を求め (3) マックスウェルの方程式 (3) を用い, さらにストークスの定理を適用して,次の領域 における磁場のe」 成分, H を求めよ。 (a) p<a, (b) p> a

大学の微分方程式の問題です。 解き方教えてください。

[1] 次の微分方程式の一般解を求めよ。 (1) y' + ²/2 = et (2) y' + t²y = t² [2] 次の微分方程式の一般解を求めよ (1) y' = 2t(1+.y2) [3] 定数変化法を用いて、次の微分方程式の 一般解を求めよ 3 (1) y' y=(1+t)3et t+1 (2) y'-ty=t

消失速度定数の問題です。わかる方お願い致します🙇‍♂️

容積が 1000mの部屋でクサヤの干物を焼くことにした。焼けたクサヤから発生する様々 な有害物質(悪臭を放つ成分)のうちメチルメルカプタン(化学式 CH:SH)に着目する。部 屋の温度は 298 K、圧力は990 hPaで、部屋は密閉されてかつ内部は絶えずよく撹牲されて おり、ワンボックスモデルで記述できるものとする。またクサヤを焼き始めるまではメチル メルカプタンの濃度は0である。以下の問いに答えよ。 (1) 部屋には何 mol の空気が存在しているか。 (2) メチルメルカプタンの放出速度は毎分 0.48 mg であったという。部屋に消失源が全 くないとすると 10分後のメチルメルカプタンの濃度は何 ppbv(1 ppbv= 10°)か。 (3) メチルメルカプタンの濃度は1.5 ppbv で一定になり、定常状態になったと判断され た。この部屋におけるメチルメルカプタンの消失速度定数k(s') はどれだけになる と見積もられるか。 (4) メチルメルカプタンの消失源としては(i)OH ラジカルによる化学的酸化、(ii)壁面等 への物理的吸着が考えられる。これらの作用による消失速度定数をそれぞれ ki,k2 と する。k」 および k2 と(3)で求めた消失速度定数kにはどのような関係があるか。 (5) メチルメルカプタンの濃度が1.5 ppbv で定常状態になったことを確認したうえで、 クサヤを焼くのをやめた(メチルメルカプタンの放出を止めた)。メチルメルカプタ ンの濃度が 0.1 ppbv まで低下するのはクサヤを焼くのをやめてから何分後か。

課題なのですが回答が配られていないため、答え合わせをしたいので解いていただけると嬉しいです🙇‍♂️🙇‍♂️🙇‍♂️

2.図1において試料の断面積 80.0 cm、試料の長さ 40 cm、水位差30 mに保ちながら水を流したところ 20分間 に 60 cm)の透水量が測定された。この砂の透水係数を求めよ。 水位一定 「A= 30 cm 土試料 1= 40 cm 図1 3, 以下の問いに答えよ。 (1) 定水位透水試験を行い、以下の結果を得た。この結果から透水係数kを求めよ。 土の試料の長さ10 cm、透水時間 120 秒、水位差50 cm、透水量 300 cm'、試料断面積100 m3 (2) 変水位透水試験を行い、以下の結果を得た。この結果から透水係数kを求めよ。 土の試料の直径 20 cm、試料の長さ 30 cm、スタンドバイプの内径 0.70 cm、透水時間 30 分で水頭が 200 cmより 160 cmへ降下した。

連続培養の代表例は●である。これは培地の栄養源を制限濃度として行われるもので、定常状態では培地の流入と同時に栄養源は培養菌体によって消費され、常に飢餓状態にある。 ●に当てはまる言葉を教えてください。

このCR並列回路の問題を教えてください！

S 第1問【過渡現象· CR· スイッチ開】図1の回路のスイッ チS は時刻t=0 に開かれた(それまでは十分長い時間 閉じていた)。この回路について以下の各問いに答えよ。 但し、コンデンサ C の電圧 vと抵抗 R の電流iは図の 矢印の向きを正とせよ。 (1)抵抗 R に関する vとiの関係の式を書け。 VIN R 図1 (2) t>0 のとき、コンデンサc に関する v とiの関係 の式を書け(この問題を問違える人が多いので注意)。