【問1】 Dis Gyを10京。 5 K
図1のFET を用いた自己バイアス式ソース接地増幅回路について, 以下の小問に答えよ.
, FET の寄生抵抗ヵを考虎し, 相互コンダクタンスを gn とすること. Cm Cee
Csの各インピーダンスは, vm(のの周# 対して十分小さいとして考えること.
また, ⑫)の解答において, 例えば尺 と 応の並列接続の合成抵抗を 7Ay や Ay。 AAな
ど省略して記述してはならない. ⑬)の解答はそれぞれ有効数字 2 桁で答えよ
⑪) 図1 の小信号等価回路を同図右に完成させよ. agm, vos(0, Ai, 到。Ap を書くこと.
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ルル (1 小信号等価回外)
図1
⑫)(⑪の小信号等価回路の電圧増幅率 44は agm, Ap を用いると である.
⑬) ⑫)で =2.0 [MO].gn=18 [mS].Rp =3.9[kO]ならばは 倍( dB) である.
(⑭ Cas の役割を以下の枠内に簡潔に述べよ.