抵抗Rが6Ωとコンデンサcを直列接続し、そこに実効値20v、50vの正弦波形を加えた。 すると、回路には2Aの電流が流れた。コンデンサに加わる電圧実効値は何Vか。 この問題を教えてください。

電子回路学の問題です。解答を教えていただきたいです。

図1の(a)は, FET を用いた CR 結合の二段の低周波増幅回路である。ソースに入っている レコンデンサーは, 交流的には短絡と考えて良いとすれば、この回路の等価回路は(b)のよ たる。使用した FETのEmを2ミリジーメンス,ドレイン抵抗 r。を1メグオームとする。 * EETの入力インピーダンスは十分大きいので、 図の抵抗 Rの値は(1 ) キロオームと て良い。この回路を,低成,中域,および高域周波数に分けて考えると,そのうち(2) レ( 3 ) 域では図中のコンテデンサーのインピーダンスは十分小さいので, 等価電流源の負 花としては,( 4 ) キロオームの抵抗のみと考えて良い。このことから、図のように,入力に 抵幅1ミリボルトの電圧 みが加わったとき,中央の の振幅は( 5 ) ポルトとなる。まった く同様に考えれば,一段の増幅器を経た出力電圧は(6 )ポルトとなるから、この回路の利 得は約( 7 ) デシベルである。 一方低域では, コンデンサーのインピーダンスが無視できなくなり,低域遮断周波数である トW- 10K 1u 10K 1μ = 義 の の Rミ| 02 (8)ヘルツでは、中域利得に対して,利得が( 9 )デシベル低下する。全体が二段増幅命 となっていることに注意すれば,それより十分低い周波数では,周波数が半分になると、や が(10 )デシベル低下する特性となっている。 (2図2は、 演算増幅器 (オペアンプ)を用 JS0 た反転増幅回路である、 この回路の利得は、 1K 100K る。アースに対する図中のa点 a Ww -Mw 100K WWw

このCR並列回路の問題を教えてください！

S 第1問【過渡現象· CR· スイッチ開】図1の回路のスイッ チS は時刻t=0 に開かれた(それまでは十分長い時間 閉じていた)。この回路について以下の各問いに答えよ。 但し、コンデンサ C の電圧 vと抵抗 R の電流iは図の 矢印の向きを正とせよ。 (1)抵抗 R に関する vとiの関係の式を書け。 VIN R 図1 (2) t>0 のとき、コンデンサc に関する v とiの関係 の式を書け(この問題を問違える人が多いので注意)。

電子回路についてです。この問題の解き方が分かりません！教えてください。

完了 電子回路_12_トランジスタ増幅回路の等価回路(2) _a9f98115cc3d72b646757b Q IB-60μAHDベース·工ミッタ間ハイアス電圧/BEOI 及びコレクタ·エミッタ間のバイアス 電圧VcEoが次の値の時,ベースのバイ 5/8 - Ic [mA) 50μA CEQ アス電流Igoとコレクタのバイアス電 流Icoの概略値を静特性より読み取り なさい。 40μA 10 Vee=5V 30μA VBEO = 0.69V VCEO =5.0V う 5 20μA = 5.0V の時も 但し,入力特性生は VeE 左図の第3象限のグラフと同じとする。 又,Iao及び1co の単位は,夫々 μA及 びmAとし,何れも整数値で答える事。 10μA 0μA CQ 80 60 40 20 0 2 4 6|8 10 - I(uA) VcE (V) → F0.2 の前問ので求めた動作点でのh定数 he,he, hoe の概略値をそれぞれ求めなさい. 夫々の単位は、kΩ, 有効数字2桁(※)で記載する事。 F0.4 r0.5V 1.0V -0.6 VCE 単位無し、uSとし、 -0.8- VeE (V)

電子回路についてです。課題1のところがわかりません。教えてください。

15:49 完了 電子回路|_11_トランジスタ増幅回… 第6章 トランジスタ増幅回路の等価回路 6.3 h定数の接地変換(2/5) 【例題6.1】 コレクタ接地のh定数を、エミッタ接地のh定数から求める変換式 【解】(エミッタ接地) E接地の入出力電流·電圧(,, Ve。)は, E接地 のh定数(hhhh)を用いて次式を満足する。 V= h, +h。v。…O …2 oC B Ve 一方、C接地の入出力電圧(VV。)と出力電流()は E接地の入出力電圧(VV)と出力電流()との間に 次式が成立する。 E OE (コレクタ接地) V= V -V。…3 V。=-V。 …の 3のをのに代入. V-V。= h, +h。(-v.) のSをのに代入. v i。 BO V。= hi, + (1-h。)V.… Vae Ve。 C Ve。 =-(1+h。);+hov… V= h.i, + h。V。 =hei, + hV。 h。= (1-h。) h。=-(1+h。),h = ho。 h,=h。 6のと、 を比較して、 第6章 トランジスタ増幅回路の等価回路 6.3 h定数の接地変換(3/5) ベース接地のh定数を、エミッタ接地のh定数から求める変換式. (エミッタ接地) V = h, + h。v。…O ;= h,+h。。…の 【課題1】 前頁の【例題6.1】を参考に、 下記の変換式(6.7)を導け。 oC h。 BO V。 Ve h= EO E (ベース接地) …3 …の h,ha t ho(1-h,) Ve = V』 -V。 h。= V。 V =ーV。 『ce Eo oC ら=--。 h h。= V|| Vhe Veb BO oB V。= h+hV。 = h+hV。

自己イングクタンス10mHのコイルに流れる電流が5ms間あたり1Aから3Aに変換した時、コイル誘起される起電力e(V)の大きさはいくらか。 この問題を教えてください。

あるコイルに10ms間に一様な割合で500mA変化する電流を流したところ5vの誘導起電力が発生した。 このコイルの自己イングクタンスLは何(H)か。 この問題を教えてください。

こちらの問題の解き方を教えて頂きたいです。よろしくお願いします！！

12.9 問図 12.4の回路で,i=2sin(1000t + T/2) [A]の電流が流れている。次の問いに 答えよ。 (1) この回路のアドミタンスYの複素数表示と極表示を求めよ。 (2) 回路に生じる電圧Vのフェーザ表示を求めよ。 (3) 電流 iR, icのフェーザ表示を求めよ。 (4) i, in, ic. 文のフェーザ図を描け。 ao iR ic R= C= 10[Q] 100 [μF] bo 問図 12.4

この問題について、相互インダクタンスが正の場合と負の場合両方考えられると思ったのですが、解答は正のみでした。それは何故か教えてください。

(2) 2つのコイル A,Bがある。 コイルAの電流が 0.1 ms の間に5A変 化するときコイルBに10Vの起電力が誘導されるという。 コイル A, B間の相互インダクタンスはいくらか。

こちらの問題を教えてほしいです。テスト近いので結構急ぎです。お願いします。

図に示すように、電荷を与えた平行電極板間の真空中にE。[V/m]の電界がある。 この電界中に比誘電率&, = 2.5、 面積1 [m?]、厚み0.01 [m]の誘電体を置いた時、 誘電体中に生じた分極電荷がq=2×10-6 [C]発生したとする。以下の問いに答えよ。 (1)誘電体外部の電束密度を求めよ。 (2) 平行電極版の電荷密度を求めよ。 001(m (3) 誘電体外部の電界の強さはいくらか。 (4)誘電体中の電束密度はいくらか。 E。 (5)誘電体中の電界の強さはいくらか。 D。 (6)誘電体両面間の電位差はいくらか。 1(m) 1m