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C91995 9/120 5
電子學工
CHI 概論
1、積體電路
名稱 邏輯閘枚 零件救 大小
551
2
10↓
10-↓
小
MSI
10 - 102
2
3
LSI
102-10
3
VLSI
103-104
ULSI
104个
10-10
103-104
4
5
大
10-10 超大
18个 極大
中
21 正弦波
Vav
=0.318Vm
Vrms
=
vm
形 f=60HZ 流f=60HZ
半波整流
个
未整流波形
波
全波整
整
Vav
=0.636Vm
流f=120HZ Vrms
=0.707/m
3. 交直流混合波
(1)故名思義就是交流+直流的波形
(2) 方程式:直流(數字)+交流(Vmsinuat)
(3)Vrms
(有效值or均方根值)
(直)
十
Vm. 2
№ 2
30

ページ2:

4、脈波
理
相
↑→儲七(90-100%)
後
90%.
脈
脈
10%
U
波
开
波
t
t
5、工作週期(DY)>(高態广全部)x100%
6、鋸齒波的功用
→ 陰極射線管的電子束以一定
的速度由起點掃描到另一端。
以極高的速度把電子束送回起點
INJ

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1976-2009 SANRIO CO LTD
電子學工
1、原子結構
CH2 二極體
. 原子核二中子+質子決定重重
電子軌道決定體積
NOTE!
(1)分成7大層(K(2)、L(8)、M(18)、N、O、P、Q)
(2)7大層內有14個小層不等
日
( 5 (2), P (6) ₁d (10) f (14))
2、八偶體學說
結構最穩定
純Si or Ge 所組成的半導体
稱為本質半導體(不带电也不導电)
3、摻雜半導体
(1) P型半導体*不带电 but会導电
·加入3價半導体(B、Al、Ga,In)
稱為受体(acceptor)
摻雜濃度 Na
(2) N型半導体
.
• DD X 519 14 (AS, P. 5b)
加入5價半導体(A
稱為施体(donnor)
EP
NG-

ページ4:

香味
•
摻雜濃度Nd
ex
X, 石英晶体、雲
4、能隙
·絕緣体 傳導帶 a5ev 價电帶
能隙能量
75 eV
半導体
ex、Si、Ge、砷化鎵
導体
Ec
Ev
EG<2ev
ex.
No能量
梯
金、銀、銅、AR、
石墨
Ev
EC
5. 電子伏特
屬於能量
單位:焦耳(丁)
-19
-19
lev=1,602x10x12116×10(J)
6、本質半導体
溫度 另稱 共價鍵破裂所需能量
0°K 絕對の度 Si=1121ev/Ge=0.785ev
室溫
3000k
Size/Ge: 072 eV

ページ5:

7.共價鍵破裂
產生 電子、電洞對
移動率 電子 電洞
7
ni²: nxp
8.本質濃度n=p=nù(載子濃度)
9、摻雜(dopping)(外質半導體
(1)純sior Ge半導体加「3價(P)
5價 (N)
(2) 摻雜比率約1118
(3) 摻雜之後51所需能量0.05ev
Ge 所需能
10.外質半導体
P型(3價)
O
O
O
。
0.00 lev
N型(5價)
O
D
0
0
多數載子-電洞
1摻雜
少數載子-電子
1. ①共價鍵破裂
1
②獲得能量(取自溫度)
多數載子-電子
少數載子-電洞
!”共價鍵破裂

ページ6:

11、PN二極体
(順向偏压(P+N)
P
結構
e .
0000
DD DDEH
e
N
(74)
电洞
··P
P
-
电子(六共價鍵破裂)
·N區
(91)
电子
⑤电洞()共價鍵破裂)
1. PN接合後
(1) N型區內的电子
→ P型區內的电洞>結合
(2)接合面
→ N型側形成正離子
→ P型側形成負離子
P型电洞(多數)
③P型电子(少數)
园N型电子(多數)
③ N型电洞(少數)
接合面形成障壁电压及空之區
加上順向偏质,空乏區↓ and Vr↓
P側&N側电路便可導通
13 14 15 16 17
18 19
21

ページ7:

.PN接面的空气区个
逆向偏压(P-NI) (1) P型側負離子个
(2) N型側正離子个
^
結構图
0899
*PN接面、濃度計算
P
刑
土
N型
·整個空乏区、Vr↑,兩端壁壘
分明,互不往來,电路OFF2
(断路)
· 少數載子的流動由N P
(1)形成漏電流
(2) 等效電路
接收的電子數
型 =擴散的電子數
電流、導體
*逆向飽和電流
P型
土
N
逆向电压,空乏区、
vr↑, but PN濃↓
士在一增一减的
情況下,巧維持定值
∵有少數載子
∴會有少量電流
擴散電流載子濃度不均造成
漂移電流電位高低所造成
導体
only 漂移電流
公式
半導体
兩者兼具
VD
VT
ID = Is (en-1)
I=ID+IS
n=1(Ge)/2(i)
VT=25mVor 26mV
e=2.71(自然常)
17 18 19 20 21 22 23
24 25 26
27 28
29 30 31

ページ8:

*二極體的符號
實体
P
N
N
陽(A)
陰(K)
.
等效電路
电路图
簡化图
順
33052.
33052
M
ww
逆
33052
MM
330.52
MM
*二極體模型4.連續漸近型(実際型
1. 理想型
ID
2
型
正1
→VD
90
點
11起累積黑
Vo

ページ9:

*二極體的符號
R
陽(A)
D
等效電路
N
陰(k)
电路图
順
33052
M
實體
N
ITK
簡化图
P
N
33002
M
p N
H
+
*二極體模型
1. 理想型
ID
正1
2₁
定电压型
>VD
逆
0.7V
>VD-
3、含有rd型
ID
Vo
0.7V
(正)
r> 交流电阻
△vo.vd
DID
id

ページ10:

(3)特性
①未達稽納电压>斷路
②超過稽納电伝>穩压
③順向偏压視同一般二極體
(4) 图形
Ip
^
(順)
稽納
Vp
(逆)
VK
工作範圍
VKM
9/3x100% x
*TC(溫度係數)=V3
例題
☆☆☆
0.07xo=
D
△Vz
2
0
100%x07
x190%x75925
0.07x10=△Vzxz
△
V8 = 0.35
VZ(75°C)=10,35
☆☆☆
IP
ww
Rs=652
VIZ JIL
36V
RL§ 1252
VE=20V
12
1. VL
36x
6+12
= 24V
1
2、 VL> VZ → 稽納动作,稳压∴Vz=VL=201
20
3. IL
12
:
3
A

ページ11:

4. Is =
5.1
Rs =5k
Vz=16V
20V
8.
A
3
RL=5K
VL=0X
5
ㄨˊ
5+5
> VL < V8 7 7 π PE
把RL改成25k
= 10 V
25
VL= 20 x
=
25+5
·Z, Vz < VL
50
53
31
IL=
TO
= 2
7 * * c² 10 hp 1 F, V z = VL=164
4
Iz
=
2-2 = 0
3, IL =
16
25
5.
H
20-10
I =
= 2
4. Iz
4
16
=
5
5
25
6₁
Pz
0
5. I
6. PzVzIz
4
64
万
= 16x23
20-16
5
=
414 415

ページ12:

例題IS
452
②
V
T
852
A
V3=6V
4V
10v
VIZ
JV
:
VI-P
→V
8
1、 V0 = 10 x8+4
∴Vo=6v
76 V
1 =
=5mA
工作?
6.
3.
(③
Tk
2. IL
w
=
8
12V+
{2k
10-6
IL V
3. Is =
FIA
4
IL=3=3mA
二
4
A
12-6
I =
=
:6mA
4. Iz = 1
3
4
*發光二極体
①圖示
②LED燈兩端的
③順向導通
例題
RS
5V
MV:17V
=10mA
電压17V~3.3V
電流 10mA~15mA
US
C
5-117
Rs=
=0.33k&
10
求Rg

ページ13:

電子學士 CH3 二極體之應用电路
.電源電路
(1)方塊图
十电阻
+R+C
→變压>整流→濾波→穩压
(2)图示說明
①變压初
(10:1)
級
10
正比 平方根成正比
次
Ni
VI
Z
Iz
N2
Vz
№ 32
II
反比
②整流
半波整流
a.平均值=元Vm=0.318vm
b.均方根值:立Vm
a、平均值=元Vm=0.636Vm
b,均方根值:后Vm=0.707Vm
L
全波整流
4.8
ar%=
RLC×1000=1,21
③濾波
D
(RL以K2為單位
半波整流濾波C以MF為單位
M
全波整流濾波
b.Vr=0.385Vm
2.4
a₁r% = RLC
b.Vr=0.308Vm
148%