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略解
内側導体表面の面電荷密度をσとする。
この電荷がつくる電場はガウスの法則で求められる:中心から半径r(a<r<b),長さlの円筒でガウスの法則(積分形)を用いることにより
E(r)=σa/(εr) ①
これを積分することにより
V=σa/ε log(b/a)
この式よりσが求まった。
求まったσを①に代入すればE(r)が求まる。
このあと考えるのは内側導体表面の電場E(r=a)
これの最小は微分して計算するだけ
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略解
内側導体表面の面電荷密度をσとする。
この電荷がつくる電場はガウスの法則で求められる:中心から半径r(a<r<b),長さlの円筒でガウスの法則(積分形)を用いることにより
E(r)=σa/(εr) ①
これを積分することにより
V=σa/ε log(b/a)
この式よりσが求まった。
求まったσを①に代入すればE(r)が求まる。
このあと考えるのは内側導体表面の電場E(r=a)
これの最小は微分して計算するだけ
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なるほど!理解できました!ありがとうございます。