งผล“
ความเร็วคริฟท์ บ
ะ
รั้
: %
“
เ-ฑซ์-
-
๕
103
ง “ 104 105 106 % “5 ง
สนามไฟฟ้า #(ง7๒)
รูปที่8.3 แสคงความลัมพันธ์ระหว่างความเร็วคริฟท์ของอิเล็กตรอน และโฮลกับความเข้มสนารไฟฟ้า
จากการทคลอง ในสารกึ่งตัวนําซิลิคอนที่ 300 «
5%ลทา๒!อ6: วิพ! งอ|อ๐6 6ล16นเลฟ์อท
อ) เทส ฝ้าอ ๐!อ สู่ท์กี| ง6!๐๐เ[เข/ เท ลท เทไห่ทร1๐ ธ!| รลท1ร ธร๐966=103“ง/๓ก.
๒) ท/ทล1เ 1ร ป้าอ ลงอธทลยอ ท๐!6 ร๐ลไอททย นทา6?
ผ “สไห :
2291400 4 10 0@ 5071
งย่ “เว4๑0 สก น
0)
