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物理 大学生・専門学校生・社会人

マークついたところの問題の解き方わかる方いらっしゃいましたら教えてください!

凝集状態 間 ng ド-ジョーン剛計 の 10 "mr =108 X 10 mi リョょの反沈ポテンシャルエネル半主計 ルゴン 1分子の結合エネル半語を生 記子 AS の分子の平衡原子間距離を求めよ。 ま 3・2 溢体アルゴンが, 平均 12 個の最通 ) れているとした場合 液体の蒸発熱を算出科示 3・3 純ニッケルにおける空孔形成コンみ は, A = 97.3 kl mol "である. 1100 6 にお6 孔分率を算出せよ. 3・4 純金における空孔形成エンタルピーの人 123.5 kl mol !、 その密度は 19281 kg m! であ訪l における単位体積当たりの平衡識孔数を算出直開 3・5 CaO 結晶内の1ショットキー欠陥の形 キーは, 61 eV である. 1000 *C および2000 CIGG8 に存在するショットキー炎陥の数を人算出せよ。 だ泡 の浴度は 3300 kg m * である、 3'6 1500CでMgO 結晶内に存在する ジョラ 大陥の数を算出せよ。ただし。 欠際形成エン用 2 Ag。三 96.5 kimol! その密度は 3580 kgm* である ニー 300Kで4gC結晶内に存在するフレング の数を算出せよ』 ただしAg結晶は単位乃に Ag'イお を4 個有する 1辺 0.555 nm の立方晶であり. 侵入倍 肝に8伯所存在する四面位置とナッ なお, この 合の欠陥形成エンタルピーは Az =269メ 10 本 である 二 0。をモル%のZr0。 と混合じ議 ー公深になるまで加熱 突定化ジルコニア| 4 0 せり YZn0.で示される ナァを抽人的に決定せょ。 ・導性が筆ら和 3 下記の化人物bにちあょか。 きどのような種拓の欠導opし合物aを加え 4 HBr b. CaBr 人が生成するか入>エ 4 CaBr。 b. TBr 4. MgO, b. Fe,0。 3. MgO, b. Nio 3:10 塩化オトリゥムは 重2165 kg mの立方昌でぁ 1 < 056s in調 の Na と CI を有する. これらのテーッ。 はそれそれ 4人 トル (m9 当たりのNi の上数をne て 立方メー

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物理 大学生・専門学校生・社会人

全く分からないので、教えて貰えるだけ教えてもらいたいです🙇‍♀️🙏 よろしくお願いします

問題1 較1において点Aに1C, 点Bに2 での電荷を置き原点O にはgoC の電荷を ンス 8 52.3 きい 由 b we 原点の電荷に作用する力の大きさを計算せよ | > 還 【叶に 寺| 4 @ 更に直線AB上の点Pに電荷4を置いた時,原 c ls 。 とる 点Oに置いた電荷に働く力がゼロになった. てCRE 革の の位置と電共すの征を求めよ, ただし。 \ド 電荷の値は小数点以下 2桁の数で表すこと- 5 2 ナェーー を を に44 -ェ*9 (登り を ea 2え 3 | と ES 3 守 1 較是2 原子のモデルとして。 Zi のを持っ上の所子板とその原子校を破点とす る半竹 Rm の球の内部 R/2 <7 そ の領域に 2ciC] の電荷で電子が一様に分布 2 しているものを考える. (図2の断面図を参照.) テイ 2 SS し K (6) 便/2 <rくなの電間度を計算せよぶヶe , (2) 電電に関するガウ メの法則を用いて以下のぞ れぞれの叙域における電場の強さ 万. を計算 ⑩ 0<r<く2 ⑱) 2<7<朋 一 () <r (3) 位置ニー R/3, エー R/2 テー 2R/3 における 。計 電場の強さを計算せよ、ただし, 束数以外の 子-テ 値は小数点以下2桁の数で表すこと。 悦題3 給の内外にあるイオンが, 厚さ 5nm の平らな細胞卓で分離されている. ここ 8S x 10-『CY/(Nmy)] として 舞和は有効数2拘で示せ. () 板計脱の比計電素を8 として, 組有膜 1cm* あたりの電所容量を計算せよ。 (2) 細胞模の聞の電位差が 10mV であるとき, 1cm3の細胞膜に半え られる電気エネ ルギーを計算せよ 37 |

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